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重庆太阳光谱模拟工厂

更新时间:2026-04-29

2)溅镀制备低发射率膜:在第二真空镀膜室中,氩离子撞击靶材,撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜;3)反应性溅镀制备缓冲膜:在第三真空镀膜室中,氩离子撞击靶材,撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬,反应生成的氮化铬沉积在步骤2)制得的低发射率膜的外表面上形成缓冲膜;4)反应性溅镀制备过渡膜:在第四真空镀膜室中,氩离子撞击靶材,撞击出来的铬离子与通入的氧气与氮气发生化学反应生成氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬,反应生成的氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬沉积在步骤3)制得的缓冲膜的外表面上形成过渡膜;我们的新设备能够解锁存储在长波长光子中的能量,这些是传统太阳能电池力所未逮之处。重庆太阳光谱模拟工厂

本发明实施例的目的在于提供一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法。为解决上述的技术问题,本发明提供的技术方案为:一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法,包括以下依次进行的步骤:1)反应性溅镀制备强化膜:在***真空镀膜室中,氩离子撞击靶材,撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬,反应生成的氧化铬沉积在吸热体的基材的外表面上形成强化膜;2)溅镀制备低发射率膜:在第二真空镀膜室中,氩离子撞击靶材,撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜;广西太阳光谱模拟工厂本申请提供了一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法,包括以下依次进行的步骤。

本申请提高了膜层的光热转换的效率,其中的工作原理是:纯铜、黄铜的低发射率在金属中比较低,*为0.03~0.05,因此本申请溅镀制备了铜离子膜,作为低发射率膜,以降低膜层的发射率;抗反射膜是利用材料表面的反射能力与其折射率有关这一特性,通过降低材料表面的折射率,减少材料对太阳辐射的反射,在金属表面做多孔的二氧化硅膜层,其折射率较低,可使太阳反射比**降低;氧化铬等氧化物具有高吸收率,经检测,本申请制备的膜层的太阳吸收率为93%~97%。实施例1一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法,包括以下依次进行的步骤:

厚度为0.1~2μm的薄层金属氧化物或硫化物,如氧化铜、氧化铬等,具有很高的太阳辐射吸收比和长波辐射透射比。6层构成的膜层的缓冲膜、过渡膜、吸收膜的主要成分是氧化铬等氧化物,能够吸收波长范围为0.20~3.0μm的太阳辐射能量并转化为热能。本申请实现了用于选择性吸收太阳光谱的膜层的吸收率高、发射率低以及附着力好,其中的工作原理是:在2500nm波长以下的太阳光反射光谱,反射率越低,吸收率越高,相反的,在2500nm波长以上的太阳光反射光谱,反射率越高,发射率越低;对基材表面作预处理,增加吸热体表面粗超度,能有效增强附着力,根据标准要求测试,结果为1级。相对的,目前大部分常见太阳能电池只能将25%的可用能量转换为电力。

步骤2)中,靶材为铜靶,功率为7kw,电压为520v,真空度为8.0e-6torr,镀膜速度为6mm/s,氩气流量为320sccm,制得的低发射率膜的厚度为200nm;3)反应性溅镀制备缓冲膜:在第三真空镀膜室中,氩离子撞击靶材,撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬,反应生成的氮化铬沉积在步骤2)制得的低发射率膜的外表面上形成缓冲膜;步骤3)中,靶材为铬靶,功率为7kw,电压为420v,真空度为8.0e-6torr,镀膜速度为6mm/s,氩气流量为240sccm,氮气流量为43sccm,制得的缓冲膜的厚度为90nm;以往使用的化学镀膜,对环境污染大,而且对太阳热能的吸收不好。江西太阳光谱模拟公司

通过降低成本和回收利用这些生长基底,未来类似的产品可能将被推向市场。重庆太阳光谱模拟工厂

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